德國紐倫堡 – 2025年3月11日 – 專注于閃存、32位微控制器（MCU）、傳感器、模擬產品和解決方案的領先半導體公司兆易創新（GigaDevice）宣布推出專為1.2 V片上系統（SoC）應用設計的雙電源SPI NOR FlashGD25NE系列。
GD25NE系列進一步強化了兆易創新戰略性的雙電源閃存路線圖，實現了與下一代1.2 V SoC的無縫兼容，無需外部升壓電路。GD25NE 系列具有更高的性能和更低的功耗，可滿足對高級嵌入式存儲日益增長的需求，使其成為可穿戴設備、醫療保健、物聯網、數據中心和邊緣 AI 應用的理想選擇。
GD25NE 將 1.8 V 內核電壓與 1.2 V I/O 接口電壓相結合，支持單、雙、四 STR（單傳輸速率）和四 DTR（雙傳輸速率）作。它在 STR 模式下可實現高達 133 MHz 的高速時鐘頻率，在 DTR 模式下可實現高達 104 MHz 的高速時鐘頻率。
GD25NE系列的典型頁面編程時間為0.15ms，扇區擦除時間為30ms，其性能明顯優于傳統的僅1.2 V閃存解決方案，讀取性能提高了20%，編程速度提高了60%以上，擦除時間縮短了30%。這些進步使 GD25NE 系列成為新興嵌入式應用的絕佳選擇。
兆易創新副總裁兼閃存事業部總經理蘇如偉表示：“GD25NE系列代表了一類新型雙電源SPI NOR Flash，實現了高性能和超低功耗的最佳平衡，該解決方案顯著降低了功耗，提高了讀取速度，并提高了編程/擦除效率，旨在滿足下一代1.2 V SoC不斷變化的需求。作為我們持續致力于創新的一部分，我們將繼續擴展我們的產品組合，為客戶提供更高效、更可靠和面向未來的閃存解決方案，用于新的前沿應用。
GD25NE 系列提供從 32 Mb 到 256 Mb 的各種密度，并支持 SOP16 （300 mil） 和 BGA24 （5×5 球陣列）封裝選項。該系列的第一款產品 256 Mb GD25NE256H 可提供樣品。密度從 32 Mb 到 128 Mb 的其余產品系列將緊隨其后。有關這些產品的具體詳情和定價，請聯系您當地的銷售代表。
GD25NE 系列采用超低功耗設計，非常適合能源敏感型應用。它具有僅 0.2 μA 的典型深度掉電電流、104 MHz 時 9mA 的四通道 I/O DTR 讀取電流以及低至 8 mA 的編程/擦除電流。與傳統的 1.8 V 解決方案相比，1.2 V 設計可將功耗降低高達 50%。這種優化的電源架構不僅提高了電源效率，還簡化了系統設計，同時保持了更高的性能。
